પ્રશ્ન ૧. YMIN ના સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટર્સ રિફ્લો સોલ્ડરિંગ પછી વધેલા લિકેજ કરંટને કારણે થતા અતિશય વીજ વપરાશને કેવી રીતે સંબોધે છે?
A: પોલિમર હાઇબ્રિડ ડાઇલેક્ટ્રિક દ્વારા ઓક્સાઇડ ફિલ્મ સ્ટ્રક્ચરને ઑપ્ટિમાઇઝ કરીને, અમે રિફ્લો સોલ્ડરિંગ (260°C) દરમિયાન થર્મલ સ્ટ્રેસ ડેમેજ ઘટાડીએ છીએ, લિકેજ કરંટને ≤20μA પર રાખીએ છીએ (માપેલ સરેરાશ ફક્ત 3.88μA છે). આ વધેલા લિકેજ કરંટને કારણે થતા રિએક્ટિવ પાવર લોસને અટકાવે છે અને ખાતરી કરે છે કે એકંદર સિસ્ટમ પાવર ધોરણને પૂર્ણ કરે છે.
પ્રશ્ન ૨. YMIN ના અલ્ટ્રા-લો ESR સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટર્સ OBC/DCDC સિસ્ટમ્સમાં પાવર વપરાશ કેવી રીતે ઘટાડે છે?
A: YMIN નું નીચું ESR કેપેસિટરમાં રિપલ કરંટને કારણે થતા જૌલ ગરમીના નુકશાનને નોંધપાત્ર રીતે ઘટાડે છે (પાવર લોસ ફોર્મ્યુલા: પ્લોસ = ઇરિપલ² × ESR), એકંદર સિસ્ટમ રૂપાંતર કાર્યક્ષમતામાં સુધારો કરે છે, ખાસ કરીને ઉચ્ચ-આવર્તન DCDC સ્વિચિંગ દૃશ્યોમાં.
પ્રશ્ન ૩. રિફ્લો સોલ્ડરિંગ પછી પરંપરાગત ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટરમાં લીકેજ કરંટ કેમ વધે છે?
A: પરંપરાગત ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટરમાં પ્રવાહી ઇલેક્ટ્રોલાઇટ ઉચ્ચ-તાપમાનના આંચકા હેઠળ સરળતાથી બાષ્પીભવન થાય છે, જેના કારણે ઓક્સાઇડ ફિલ્મ ખામીઓ થાય છે. સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટર ઘન પોલિમર સામગ્રીનો ઉપયોગ કરે છે, જે વધુ ગરમી-પ્રતિરોધક હોય છે. 260°C રિફ્લો સોલ્ડરિંગ પછી સરેરાશ લિકેજ કરંટ વધારો માત્ર 1.1μA છે (માપેલ ડેટા).
પ્રશ્ન: ૪. YMIN ના સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટર્સ માટેના ટેસ્ટ ડેટામાં રિફ્લો સોલ્ડરિંગ પછી 5.11μA નો મહત્તમ લિકેજ કરંટ હજુ પણ ઓટોમોટિવ નિયમોનું પાલન કરે છે?
A: હા. લિકેજ કરંટ માટે ઉપલી મર્યાદા ≤94.5μA છે. YMIN ના સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટર્સ માટે 5.11μA નું માપેલ મહત્તમ મૂલ્ય આ મર્યાદાથી ઘણું નીચે છે, અને બધા 100 નમૂનાઓએ ડ્યુઅલ-ચેનલ એજિંગ પરીક્ષણો પાસ કર્યા છે.
પ્રશ્ન: ૫. YMIN ના સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટર્સ ૧૩૫°C પર ૪૦૦૦ કલાકથી વધુના આયુષ્ય સાથે લાંબા ગાળાની વિશ્વસનીયતાની ખાતરી કેવી રીતે આપે છે?
A: YMIN કેપેસિટર્સ ઉચ્ચ-તાપમાન પ્રતિકાર, વ્યાપક CCD પરીક્ષણ અને ઝડપી વૃદ્ધત્વ પરીક્ષણ (135°C એ 105°C પર આશરે 30,000 કલાકની સમકક્ષ છે) સાથે પોલિમર સામગ્રીનો ઉપયોગ કરે છે જેથી એન્જિન કમ્પાર્ટમેન્ટ જેવા ઉચ્ચ-તાપમાન વાતાવરણમાં સ્થિર કામગીરી સુનિશ્ચિત થાય.
પ્રશ્ન:6. રિફ્લો સોલ્ડરિંગ પછી YMIN સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટરની ESR ભિન્નતા શ્રેણી કેટલી છે? ડ્રિફ્ટ કેવી રીતે નિયંત્રિત થાય છે?
A: YMIN કેપેસિટરનો માપેલ ESR ભિન્નતા ≤0.002Ω છે (દા.ત., 0.0078Ω → 0.009Ω). આનું કારણ એ છે કે ઘન-પ્રવાહી હાઇબ્રિડ માળખું ઇલેક્ટ્રોલાઇટના ઉચ્ચ-તાપમાન વિઘટનને દબાવી દે છે, અને સંયુક્ત સ્ટીચિંગ પ્રક્રિયા સ્થિર ઇલેક્ટ્રોડ સંપર્ક સુનિશ્ચિત કરે છે.
પ્રશ્ન:૭. OBC ઇનપુટ ફિલ્ટર સર્કિટમાં વીજ વપરાશ ઓછો કરવા માટે કેપેસિટર કેવી રીતે પસંદ કરવા જોઈએ?
A: ઇનપુટ-સ્ટેજ રિપલ લોસ ઘટાડવા માટે YMIN લો-ESR મોડેલ્સ (દા.ત., VHU_35V_270μF, ESR ≤8mΩ) પસંદ કરવામાં આવે છે. તે જ સમયે, સ્ટેન્ડબાય પાવર વપરાશમાં વધારો ટાળવા માટે લિકેજ કરંટ ≤20μA હોવો જોઈએ.
પ્રશ્ન:8. DCDC આઉટપુટ વોલ્ટેજ નિયમન તબક્કામાં ઉચ્ચ કેપેસિટન્સ ઘનતા (દા.ત., VHT_25V_470μF) ધરાવતા YMIN કેપેસિટરના ફાયદા શું છે?
A: ઉચ્ચ કેપેસિટેન્સ આઉટપુટ રિપલ વોલ્ટેજ ઘટાડે છે અને અનુગામી ફિલ્ટરિંગની જરૂરિયાત ઘટાડે છે. કોમ્પેક્ટ ડિઝાઇન (10×10.5mm) PCB ટ્રેસને ટૂંકાવે છે અને પરોપજીવી ઇન્ડક્ટન્સને કારણે થતા વધારાના નુકસાનને ઘટાડે છે.
પ્રશ્ન: 9. શું YMIN કેપેસિટર પરિમાણો ઓટોમોટિવ-ગ્રેડ વાઇબ્રેશન પરિસ્થિતિઓમાં વિચલિત થશે અને પાવર વપરાશને અસર કરશે?
A: YMIN કેપેસિટર્સ કંપનનો પ્રતિકાર કરવા માટે માળખાકીય મજબૂતીકરણ (જેમ કે આંતરિક સ્થિતિસ્થાપક ઇલેક્ટ્રોડ ડિઝાઇન) નો ઉપયોગ કરે છે. પરીક્ષણ દર્શાવે છે કે કંપન પછી ESR અને લિકેજ વર્તમાન પરિવર્તન દર 1% કરતા ઓછા છે, જે યાંત્રિક તાણને કારણે કામગીરીમાં ઘટાડો અટકાવે છે.
પ્રશ્ન: ૧૦. ૨૬૦°C રિફ્લો સોલ્ડરિંગ પ્રક્રિયા દરમિયાન YMIN કેપેસિટર્સ માટે લેઆઉટ આવશ્યકતાઓ શું છે?
A: સ્થાનિક ઓવરહિટીંગ ટાળવા માટે કેપેસિટર ગરમી ઉત્પન્ન કરતા ઘટકો (જેમ કે MOSFETs) થી ≥5mm દૂર રાખવાની ભલામણ કરવામાં આવે છે. માઉન્ટિંગ દરમિયાન થર્મલ ગ્રેડિયન્ટ તણાવ ઘટાડવા માટે થર્મલી સંતુલિત સોલ્ડર પેડ ડિઝાઇનનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે.
પ્રશ્ન: ૧૧. શું YMIN સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટર્સ પરંપરાગત ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સ કરતાં વધુ મોંઘા છે?
A: YMIN કેપેસિટર્સ લાંબુ આયુષ્ય (135°C/4000h) અને ઓછું પાવર વપરાશ (કૂલિંગ સિસ્ટમ ખર્ચ બચાવે છે) પ્રદાન કરે છે, જેનાથી ઉપકરણના એકંદર જીવનચક્ર ખર્ચમાં 10% થી વધુ ઘટાડો થાય છે.
પ્રશ્ન: ૧૨. શું YMIN કસ્ટમાઇઝ્ડ પેરામીટર્સ (જેમ કે નીચું ESR) પ્રદાન કરી શકે છે?
A: હા. અમે ગ્રાહકની સ્વિચિંગ ફ્રીક્વન્સી (દા.ત., 100kHz-500kHz) ના આધારે ઇલેક્ટ્રોડ સ્ટ્રક્ચરને સમાયોજિત કરી શકીએ છીએ જેથી ESR ને 5mΩ સુધી ઘટાડી શકાય, જે અતિ-ઉચ્ચ-કાર્યક્ષમતા OBC જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરે છે.
પ્રશ્ન:૧૩. શું YMIN ના સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટર્સ ૮૦૦V હાઇ-વોલ્ટેજ પ્લેટફોર્મને સપોર્ટ કરે છે? ભલામણ કરાયેલા મોડેલ કયા છે?
A: હા. VHT શ્રેણીમાં મહત્તમ પ્રતિકાર વોલ્ટેજ 450V (દા.ત., VHT_450V_100μF) અને લિકેજ કરંટ ≤35μA છે. તેનો ઉપયોગ ઘણા 800V વાહનો માટે DC-DC મોડ્યુલોમાં કરવામાં આવ્યો છે.
પ્રશ્ન:૧૪. YMIN ના સોલિડ-લિક્વિડ હાઇબ્રિડ કેપેસિટર્સ PFC સર્કિટમાં પાવર ફેક્ટરને કેવી રીતે ઑપ્ટિમાઇઝ કરે છે?
A: નીચું ESR ઉચ્ચ-આવર્તન લહેર નુકસાન ઘટાડે છે, જ્યારે નીચું DF મૂલ્ય (≤1.5%) ડાઇલેક્ટ્રિક નુકસાનને દબાવી દે છે, જેનાથી PFC-સ્ટેજ કાર્યક્ષમતા ≥98.5% સુધી વધે છે.
પ્રશ્ન: ૧૫. શું YMIN રેફરન્સ ડિઝાઇન પૂરી પાડે છે? હું તે કેવી રીતે મેળવી શકું?
A: OBC/DCDC પાવર ટોપોલોજી રેફરન્સ ડિઝાઇન લાઇબ્રેરી (સિમ્યુલેશન મોડેલ્સ અને PCB લેઆઉટ માર્ગદર્શિકા સહિત) અમારી સત્તાવાર વેબસાઇટ પર ઉપલબ્ધ છે. તેને ડાઉનલોડ કરવા માટે એન્જિનિયર એકાઉન્ટ રજીસ્ટર કરો.
પોસ્ટ સમય: સપ્ટેમ્બર-02-2025